Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • € 0,625
    1 Stück (in Stange zu 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 67 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 3,495
    1 Stück (in Packung zu 2)
Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30,8 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieDTMOSIV
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 1,823
    1 Stück (in Stange zu 100)
Toshiba 2SA1943-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–230 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • € 1,25
    1 Stück (in Stange zu 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 56 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.56 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,605
    1 Stück (in Packung zu 10)
Toshiba DTMOSIV N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 5,8 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieDTMOSIV
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,926
    1 Stück (in Packung zu 5)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 2,856
    1 Stück (in Packung zu 5)
Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieDTMOSIV
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 2,72
    1 Stück (in Packung zu 2)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET Transistor 100 V / 207 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.207 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,544
    1 Stück (in Stange zu 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,098
    1 Stück (in Packung zu 50)
Toshiba SMD Diode, 400V / 700mA, 2-Pin S-FLAT
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeS-FLAT
  • Dauer-Durchlassstrom max.700mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch400V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • € 0,302
    1 Stück (in Packung zu 10)
Toshiba N-Kanal JFET 2SK208-R(TE85L,F), 10 V Single, SOT-346 (SC-59) 3-Pin Einfach
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom0.3 to 0.75mA
  • Drain-Source-Spannung max.10 V
  • Gate-Source Spannung max.-30 V
  • Drain-Gate-Spannung max.-50V
Vergleichbare Produkte in "JFET"
  • € 1,25
    1 Stück (in Packung zu 5)
Toshiba TPH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP erweitert
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.59 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTPH
  • GehäusegrößeSOP erweitert
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,103
    1 Stück (in Packung zu 50)
Toshiba Schaltdiode Gemeinsame Anode 300mA 2 Element/Chip SMD 80V SOT-346 (SC-59) 3-Pin Siliziumverbindung 1.2V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Durchlassstrom max.300mA
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • Montage-TypSMD
  • Sperrspannung max.80V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
  • € 0,086
    1 Stück (auf Rolle zu 3000)
Toshiba SMD Schottky Diode, 30V / 1.5A, 2-Pin S-FLAT
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeS-FLAT
  • Dauer-Durchlassstrom max.1.5A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • € 1,432
    1 Stück (in Packung zu 5)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.105 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,752
    1 Stück (in Packung zu 5)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 52 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.52 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,515
    1 Stück (in Packung zu 10)
Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 5,4 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5,4 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,856
    1 Stück (in Stange zu 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.105 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,847
    1 Stück (auf Rolle zu 5000)
Toshiba TPH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP erweitert
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.59 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeSOP erweitert
  • SerieTPH
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 1,496
    1 Stück (in Packung zu 5)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.90 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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