Toshiba DTMOSIV TK6P65W,RQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 5,8 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 133-2800
- Herst. Teile-Nr.:
- TK6P65W,RQ(S
- Hersteller:
- Toshiba
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- Toshiba
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Informationen zur Produktgruppe
MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Serie | DTMOSIV |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,05 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
| Verlustleistung max. | 60 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 6.6mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 6.1mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.7V |
| Höhe | 2.3mm |
- RS Best.-Nr.:
- 133-2800
- Herst. Teile-Nr.:
- TK6P65W,RQ(S
- Hersteller:
- Toshiba