IXYS

Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
IXYS Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip THT TO-247AD 2-Pin Siliziumverbindung 2.74V
  • € 4,754
    1 Stück (in Stange zu 30)
IXYS Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip THT TO-247AD 2-Pin Siliziumverbindung 2.74V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-247AD
  • DiodentechnologieSiliziumverbindung
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
IXYS THT Diode, 1200V / 11A, 3-Pin TO-220AB
  • € 2,424
    1 Stück (in Stange zu 50)
IXYS THT Diode, 1200V / 11A, 3-Pin TO-220AB
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Dauer-Durchlassstrom max.11A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • DiodenkonfigurationSerie
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
IXYS THT Diode, 600V / 20A, 2-Pin TO-220AC
  • € 3,385
    1 Stück (in Packung zu 2)
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
IXYS THT Diode, 600V / 20A, 2-Pin TO-220AC
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-220AC
  • Dauer-Durchlassstrom max.20A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
IXYS THT Diode, 1600V / 30A, 2-Pin TO-220AC
  • € 2,584
    1 Stück (in Packung zu 5)
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
IXYS THT Diode, 1600V / 30A, 2-Pin TO-220AC
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-220AC
  • Dauer-Durchlassstrom max.30A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
IXYS Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip THT TO-247AD 2-Pin Siliziumverbindung 2.74V
  • € 5,291 Stück
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
IXYS Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip THT TO-247AD 2-Pin Siliziumverbindung 2.74V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-247AD
  • DiodentechnologieSiliziumverbindung
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
IXYS THT Diode, 1600V / 30A, 2-Pin TO-220AC
  • € 2,327
    1 Stück (in Stange zu 50)
IXYS THT Diode, 1600V / 30A, 2-Pin TO-220AC
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-220AC
  • Dauer-Durchlassstrom max.30A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
IXYS IGBT / 70 A ±20V max., 900 V 500 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
  • € 39,231 Stück
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
IXYS IGBT / 70 A ±20V max., 900 V 500 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.70 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung900 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.500 W
  • GehäusegrößeSOT-227B
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
IXYS THT Diode, 600V / 20A, 2-Pin TO-220AC
  • € 3,012
    1 Stück (in Stange zu 50)
IXYS THT Diode, 600V / 20A, 2-Pin TO-220AC
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-220AC
  • Dauer-Durchlassstrom max.20A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
IXYS Polar HiPerFET N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 200 A 680 W, 4-Pin SOT-227
  • € 26,492
    1 Stück (in Stange zu 10)
IXYS Polar HiPerFET N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 200 A 680 W, 4-Pin SOT-227
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.200 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SeriePolar HiPerFET
  • GehäusegrößeSOT-227
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
IXYS IGBT / 340 A ±20V max., 900 V 500 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
  • € 36,33
    1 Stück (in Stange zu 10)
IXYS IGBT / 340 A ±20V max., 900 V 500 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.340 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung900 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.500 W
  • GehäusegrößeSOT-227B
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 1200V / 60A, 4-Pin SOT-227B
  • € 43,761 Stück
  • Auch verfügbar in Industriestandard-Verpackung
IXYS Tafelmontage Diode Isoliert, 1200V / 60A, 4-Pin SOT-227B
  • Montage-TypTafelmontage
  • GehäusegrößeSOT-227B
  • Dauer-Durchlassstrom max.60A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • DiodenkonfigurationIsoliert
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
IXYS Brückengleichrichter, 1-phasig 35A 1600V Tafelmontage 2.2V PWS A 4-Pin 300μA Siliziumverbindung
  • € 29,161 Stück
IXYS Brückengleichrichter, 1-phasig 35A 1600V Tafelmontage 2.2V PWS A 4-Pin 300μA Siliziumverbindung
  • Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert35A
  • Brücken-Typ1-phasig
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1600V
  • Montage-TypTafelmontage
  • GehäusegrößePWS A
Vergleichbare Produkte in "Brückengleichrichter"
IXYS SCR Modul Zweifachthyristormodul 64A TO-240AA 1200V 1.6kA
  • € 30,911 Stück
IXYS SCR Modul Zweifachthyristormodul 64A TO-240AA 1200V 1.6kA
  • On-State Strom durchschnittlich64A
  • Thyristor-TypSCR Modul
  • GehäusegrößeTO-240AA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • Spitzenstrom1.6kA
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
IXYS SCR Modul Zweifachthyristormodul 64A TO-240AA 1200V 1.6kA
  • € 28,50
    1 Stück (in Box zu 36)
IXYS SCR Modul Zweifachthyristormodul 64A TO-240AA 1200V 1.6kA
  • On-State Strom durchschnittlich64A
  • Thyristor-TypSCR Modul
  • GehäusegrößeTO-240AA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • Spitzenstrom1.6kA
Vergleichbare Produkte in "Thyristoren"
IXYS IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 450 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
  • € 32,144
    1 Stück (in Stange zu 10)
IXYS IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 450 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.450 W
  • GehäusegrößeSOT-227B
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 120 A 1,25 kW, 3-Pin UM-264P
  • € 19,427
    1 Stück (in Stange zu 50)
IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 120 A 1,25 kW, 3-Pin UM-264P
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.120 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeUM-264P
  • SerieHiperFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
IXYS IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 450 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
  • € 34,831 Stück
IXYS IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 450 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.450 W
  • GehäusegrößeSOT-227B
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
IXYS Brückengleichrichter, 3-phasig 35A 1200V Schraubmontage 1.7V FO B B 5-Pin 300μA Siliziumverbindung
  • € 11,275
    1 Stück (in Box zu 50)
IXYS Brückengleichrichter, 3-phasig 35A 1200V Schraubmontage 1.7V FO B B 5-Pin 300μA Siliziumverbindung
  • Brücken-Typ3-phasig
  • Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert35A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1200V
  • Montage-TypSchraubmontage
  • GehäusegrößeFO B B
Vergleichbare Produkte in "Brückengleichrichter"
IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 80 A 890 W, 3-Pin TO-247
  • € 11,845
    1 Stück (in Stange zu 30)
IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 80 A 890 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.80 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieHiperFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
IXYS IGBT / 75 A ±20V max., 1700 V, 3-Pin TO-247AD N-Kanal
  • € 30,141 Stück
IXYS IGBT / 75 A ±20V max., 1700 V, 3-Pin TO-247AD N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.75 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1700 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-247AD
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
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