- RS Best.-Nr.:
- 194-130
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN82N60P
- Hersteller:
- IXYS
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 72 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Gehäusegröße | SOT-227 |
Serie | HiperFET, Polar |
Montage-Typ | Schraubmontage |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 75 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Verlustleistung max. | 1,04 kW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Breite | 25.07mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 38.2mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 9.6mm |
- RS Best.-Nr.:
- 194-130
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN82N60P
- Hersteller:
- IXYS