Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • € 0,302
    1 Stück (in Packung zu 10)
Toshiba N-Kanal JFET 2SK208-R(TE85L,F), 10 V Single, SOT-346 (SC-59) 3-Pin Einfach
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom0.3 to 0.75mA
  • Drain-Source-Spannung max.10 V
  • Gate-Source Spannung max.-30 V
  • Drain-Gate-Spannung max.-50V
Vergleichbare Produkte in "JFET"
  • € 0,856
    1 Stück (in Stange zu 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.105 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 5,545
    1 Stück (in Packung zu 2)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 1,926
    1 Stück (in Packung zu 5)
Toshiba 2SC5200N(S1,E,S) THT, NPN Transistor 230 V / 15 A, TO-3P 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung230 V
  • GehäusegrößeTO-3P
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • € 0,887
    1 Stück (in Stange zu 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.90 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 3,346
    1 Stück (in Stange zu 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,103
    1 Stück (in Packung zu 50)
Toshiba Schaltdiode Gemeinsame Anode 300mA 2 Element/Chip SMD 80V SOT-346 (SC-59) 3-Pin Siliziumverbindung 1.2V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Durchlassstrom max.300mA
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • Sperrspannung max.80V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
  • € 0,697
    1 Stück (in Packung zu 10)
Toshiba NPN Darlington-Transistor 400 V 6 A HFE:100, TO-220SIS 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.6 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung400 V
  • Basis-Emitter Spannung max.5 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • € 0,862
    1 Stück (in Packung zu 5)
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 340 A 170 W, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.340 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeSOP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,277
    1 Stück (in Packung zu 25)
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 7,5 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.250 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,648
    1 Stück (in Packung zu 5)
Toshiba TPC P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10 A 1,9 W, 8-Pin SOP
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieTPC
  • GehäusegrößeSOP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,219
    1 Stück (in Packung zu 25)
Toshiba 2SA1362-GR,LF(T SMD, PNP Transistor –15 V / -800 mA, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.-800 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung–15 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • € 0,334
    1 Stück (in Packung zu 10)
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeTSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,098
    1 Stück (in Packung zu 50)
Toshiba SMD Schottky Diode, 30V / 1A, 2-Pin US-FLAT
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUS-FLAT
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • € 0,987
    1 Stück (in Stange zu 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 1,411
    1 Stück (in Stange zu 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,766
    1 Stück (in Stange zu 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.46 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 1,638
    1 Stück (in Packung zu 5)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 0,079
    1 Stück (in Packung zu 100)
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 mA 100 mW, 3-Pin SC-75
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 mA
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSC-75
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 1,693
    1 Stück (in Stange zu 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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