Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 20 A 143 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07

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RS Best.-Nr.:
351-933
Herst. Teile-Nr.:
IMZC120R078M2HXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-U07

Serie

IMZC120

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

204mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Maximale Verlustleistung Pd

143W

Durchlassspannung Vf

5.5V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Breite

16 mm

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Länge

23.5mm

Automobilstandard

Nein

Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET mit High-Creepage-Gehäuse baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie auf und bietet eine fortschrittliche Lösung für kostenoptimierte, effiziente, kompakte, einfach zu entwickelnde und zuverlässige Systeme. Er verbesserte die Leistung sowohl im hart schaltenden Betrieb als auch bei weich schaltenden Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.

Bessere Energieeffizienz

Optimierung der Kühlung

Höhere Leistungsdichte

Neue Robustheitsmerkmale

Sehr zuverlässig

Einfache Parallelisierung

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