Infineon IMZC120 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 69 A 382 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- RS Best.-Nr.:
- 351-924
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 69A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Durchlassspannung Vf | 5.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 89nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 382W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Länge | 23.5mm | |
| Breite | 16mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 69A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Durchlassspannung Vf 5.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 89nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 382W | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Länge 23.5mm | ||
Breite 16mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie IMZC120 von Infineon, 1200 V Drain-Source-Spannung, 69 A kontinuierlicher Drain-Strom – IMZC120R017M2HXKSA1
Dieser Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET wurde für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und eignet sich für die Durchsteckmontage von Leiterplatten und bietet eine robuste Hochspannungsbeständigkeit und eine hohe Gleichstrombelastbarkeit für Industrie- und Stromumwandlungsumgebungen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 1200 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 69 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 45 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Maximale Verlustleistung von 382 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 89 nC optimiert die Schaltleistung
• Die VGS-Grenzspannung von 25 V gewährleistet Kompatibilität und Schutz des Gate-Antriebs
• 69 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 45 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Maximale Verlustleistung von 382 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 89 nC optimiert die Schaltleistung
• Die VGS-Grenzspannung von 25 V gewährleistet Kompatibilität und Schutz des Gate-Antriebs
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Hochspannungswechselrichter- und Wandlerstufen
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Leistungsstufen
• Wird mit Netzstromversorgungen verwendet, die eine hohe Verlustleistung erfordern
• Kann zum primären Schalten von Schaltnetzteilen verwendet werden
• Nützlich in Wechselrichtern und Speichersystemen für erneuerbare Energien
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Leistungsstufen
• Wird mit Netzstromversorgungen verwendet, die eine hohe Verlustleistung erfordern
• Kann zum primären Schalten von Schaltnetzteilen verwendet werden
• Nützlich in Wechselrichtern und Speichersystemen für erneuerbare Energien
Welches Gehäuse erleichtert die Montage und die Wärmeableitung?
Die Komponente wird in einem vierpoligen PG-TO-247-4-U07-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das die Leiterplattenmontage vereinfacht und eine zuverlässige Befestigung an Kühlkörpern für das Wärmemanagement ermöglicht.
Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 200 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen und erhöhten Sperrschichttemperaturen.
Welche Antriebsaspekte gelten für die Gate-Steuerung?
Die typische Gate-Ladung von 89 nC erfordert einen Gate-Treiber, der ausreichend Strom für die vorgesehenen Schaltgeschwindigkeiten liefern und ableiten kann, wobei die maximale Gate-Source-Bewertung von 25 V eingehalten wird.
Gibt es anerkannte Fertigungs- oder Prüfstandards?
Das Gerät entspricht den JEDEC47/20/22-Normen für entsprechende Qualifizierungs- und Prüfansätze, die bei der Komponentenbewertung verwendet werden.
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