Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 34 A 218 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07

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RS Best.-Nr.:
351-930
Herst. Teile-Nr.:
IMZC120R040M2HXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-U07

Serie

IMZC120

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Maximale Verlustleistung Pd

218W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Automobilstandard

Nein

Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET mit High-Creepage-Gehäuse baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie auf und bietet eine fortschrittliche Lösung für kostenoptimierte, effiziente, kompakte, einfach zu entwickelnde und zuverlässige Systeme. Er verbesserte die Leistung sowohl im hart schaltenden Betrieb als auch bei weich schaltenden Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.

Bessere Energieeffizienz

Optimierung der Kühlung

Höhere Leistungsdichte

Neue Robustheitsmerkmale

Sehr zuverlässig

Einfache Parallelisierung

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