Infineon IMZC120 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 34 A 218 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- RS Best.-Nr.:
- 351-930
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 218W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 218W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie IMZC120 von Infineon, 218 W maximale Verlustleistung, 1200 V maximale Drain-Source-Spannung – IMZC120R040M2HXKSA1
Dieser N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Umgebungen der Leistungsumwandlung entwickelt wurde. Er ist für die Durchsteckmontage in Geräten vorgesehen, die eine robuste Drain-to-Source-Blockierung und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erfordern, und arbeitet über einen breiten thermischen Bereich, der für raue Bedingungen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 1200 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsdesigns
• 34 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• Niedrige Rds(on) von 40 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 218 W Verlustleistung für Schaltvorgänge mit hoher Leistung
• Eine typische Gate-Ladung von 39 nC ermöglicht eine kontrollierte Schaltenergie
• Das durchkontaktierte PG-TO-247-4-Gehäuse vereinfacht die Prototypenmontage
• 34 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• Niedrige Rds(on) von 40 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 218 W Verlustleistung für Schaltvorgänge mit hoher Leistung
• Eine typische Gate-Ladung von 39 nC ermöglicht eine kontrollierte Schaltenergie
• Das durchkontaktierte PG-TO-247-4-Gehäuse vereinfacht die Prototypenmontage
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Einsatz mit Motorantrieben, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Ideal für industrielle Wechselrichter- und Schaltmodusaufgaben
• Kann für Batterieladesysteme in schweren Geräten verwendet werden
• Wird für die Prüfung und Entwicklung von Laborstromelektronik verwendet
• Einsatz mit Motorantrieben, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Ideal für industrielle Wechselrichter- und Schaltmodusaufgaben
• Kann für Batterieladesysteme in schweren Geräten verwendet werden
• Wird für die Prüfung und Entwicklung von Laborstromelektronik verwendet
Welche Umgebungsbedingungen kann dieses Gerät während des Betriebs vertragen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit starken Temperaturschwankungen.
Welches Gehäuse und welche Art der Montage sind auf einer Leiterplatte erforderlich?
Das Gerät wird in einem PG-TO-247-4-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für die Schraub- oder Lötmontage mit geeigneten Kühlkörpern vorgesehen ist.
Wie wirkt sich die Gate-Antriebsanforderung auf das Schaltdesign aus?
Bei einer typischen Gate-Ladung von 39 nC bei Nenn-Vgs sollten Entwickler die Gate-Treiber und Gate-Widerstände so dimensionieren, dass die Schaltgeschwindigkeit und die elektromagnetischen Störungen unter Berücksichtigung des Antriebsstroms ausgeglichen sind.
Welche elektrischen Grenzwerte müssen eingehalten werden, um Schäden am Gerät zu verhindern?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 25 V und die Drain-Source-Spannung 1200 V
Diese absoluten Werte dürfen während des Betriebs nicht überschritten werden.
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