Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 80 A 329 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07

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RS Best.-Nr.:
351-925
Herst. Teile-Nr.:
IMZC120R022M2HXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-U07

Serie

IMZC120

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

71nC

Durchlassspannung Vf

5.5V

Maximale Verlustleistung Pd

329W

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Länge

23.5mm

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Breite

16 mm

Automobilstandard

Nein

Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET 1200 V, 22 mΩ G2 im TO-247 4pin-Gehäuse mit hoher Kriechstromfestigkeit baut auf den Stärken der Generation 1-Technologie auf und bietet eine fortschrittliche Lösung für kostenoptimierte, effiziente, kompakte, einfach zu entwickelnde und zuverlässige Systeme. Er verbesserte die Leistung sowohl im hart schaltenden Betrieb als auch bei weich schaltenden Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.

Kurzschlussfestigkeitszeit 2 μs

Benchmark-Gate-Schwellenspannung 4,2 V

Robust gegen parasitäres Einschalten

Sehr geringe Schaltverluste

Engere VGS(th)-Parameterverteilung

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