Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 70 A 273 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U02
- RS Best.-Nr.:
- 349-115
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZA120R030M1HXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-U02 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 56mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 273W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 18 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-U02 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 56mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 273W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 18 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Infineon CoolSiC SiC-MOSFET im TO-247-4-Gehäuse basiert auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess, der Leistung und Zuverlässigkeit miteinander verbindet. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC-MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Dies umfasst die niedrigsten Gate-Ladungs- und Bauelementekapazitätswerte, die bei 1200-V-Schaltern zu beobachten sind, keine Rückstromverluste der internen kommutierungsfesten Body-Diode, temperaturunabhängig niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Einschaltcharakteristik.
Klassenbeste Schalt- und Leitungsverluste
Breiter Gate-Source-Spannungsbereich
Robuste und verlustarme Body-Diode für harte Kommutierung
Temperaturunabhängige Abschaltverluste
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