Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 27 A 182 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07

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RS Best.-Nr.:
351-931
Herst. Teile-Nr.:
IMZC120R053M2HXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

27A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-U07

Serie

IMZC120

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

53mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-10 to 25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

5.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Maximale Verlustleistung Pd

182W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Länge

23.5mm

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Breite

16 mm

Automobilstandard

Nein

Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET mit High-Creepage-Gehäuse baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie auf und bietet eine fortschrittliche Lösung für kostenoptimierte, effiziente, kompakte, einfach zu entwickelnde und zuverlässige Systeme. Er verbesserte die Leistung sowohl im hart schaltenden Betrieb als auch bei weich schaltenden Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.

Bessere Energieeffizienz

Optimierung der Kühlung

Höhere Leistungsdichte

Neue Robustheitsmerkmale

Sehr zuverlässig

Einfache Parallelisierung

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