Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 49 A 289 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07

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RS Best.-Nr.:
351-927
Herst. Teile-Nr.:
IMZC120R026M2HXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

49A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

IMZC120

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-U07

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

69mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

289W

Durchlassspannung Vf

5.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

60nC

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Länge

23.5mm

Breite

16 mm

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Automobilstandard

Nein

Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET 1200 V, 26 mΩ G2 im TO-247 4pin-Gehäuse mit hoher Kriechstromfestigkeit baut auf den Stärken der Generation 1-Technologie auf und bietet eine fortschrittliche Lösung für kostenoptimierte, effiziente, kompakte, einfach zu entwickelnde und zuverlässige Systeme. Er verbesserte die Leistung sowohl im hart schaltenden Betrieb als auch bei weich schaltenden Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.

Kurzschlussfestigkeitszeit 2 μs

Benchmark-Gate-Schwellenspannung 4,2 V

Robust gegen parasitäres Einschalten

Sehr geringe Schaltverluste

Engere VGS(th)-Parameterverteilung

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