Infineon IMZC120 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 49 A 289 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- RS Best.-Nr.:
- 351-927
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 15,38
(ohne MwSt.)
€ 18,46
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 219 Einheit(en) mit Versand ab 10. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 15,38 |
| 10 - 99 | € 13,85 |
| 100 + | € 12,77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-927
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 49A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 69mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 5.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 289W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Länge | 23.5mm | |
| Breite | 16mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 49A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 69mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 5.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 289W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Länge 23.5mm | ||
Breite 16mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie IMZC120 von Infineon, 1200 V Drain-Source-Spannung, 49 A kontinuierlicher Drain-Strom – IMZC120R026M2HXKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für anspruchsvolle Leistungsumwandlungsfunktionen in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich, der für raue Umgebungen geeignet ist, und ist für die Durchsteckmontage konzipiert, was eine robuste Option darstellt, wenn eine hohe Blockierungsspannung und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 1200 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltfähigkeit
• 49 A kontinuierlicher Ablassstrom für eine hohe Belastbarkeit
• 69 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste bei Betriebsströmen
• Maximale Verlustleistung von 289 W für hohe thermische Belastbarkeit
• 60 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltsteuerung
• 25-V-Gate-Source-Grenzwert unterstützt gängige Gate-Drive-Spannungen
• 49 A kontinuierlicher Ablassstrom für eine hohe Belastbarkeit
• 69 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste bei Betriebsströmen
• Maximale Verlustleistung von 289 W für hohe thermische Belastbarkeit
• 60 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltsteuerung
• 25-V-Gate-Source-Grenzwert unterstützt gängige Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereiche
• Geeignet für industrielle Wechselrichter- und Motorantriebskonstruktionen
• Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Wird für Traktionselektronik und Leistungselektronik mit erneuerbarer Energie verwendet
• Kann für Hard-Switching- und Chopper-Topologien verwendet werden
• Wird mit Durchsteckkühlkörpern für das Wärmemanagement verwendet
• Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Wird für Traktionselektronik und Leistungselektronik mit erneuerbarer Energie verwendet
• Kann für Hard-Switching- und Chopper-Topologien verwendet werden
• Wird mit Durchsteckkühlkörpern für das Wärmemanagement verwendet
Welche Gehäusetyp wird verwendet, und wie wirkt sich das auf die Montage aus?
Er wird im TO-247-4-Durchgangsbohrungsformat geliefert, das eine sichere Befestigung mit Schrauben und eine einfache Leiterplattenmontage für robuste mechanische und thermische Verbindungen ermöglicht.
Wie wirkt sich der thermische Bereich auf die Platzierung in Systemen aus?
Mit einem Betriebsbereich von -55 °C bis 200 °C kann er in der Nähe von wärmeerzeugenden Komponenten oder in Umgebungen mit großen Umgebungstemperaturschwankungen ohne sofortige Reduzierung auf Systemebene eingesetzt werden.
Welche Gate-Drive-Bedenken sind für die Schaltleistung erforderlich?
Antriebs-Schaltkreise müssen die 25-V-Gate-Source-Grenzspannung einhalten und eine ausreichende Antriebsstärke bieten, um die 60-nC-Gate-Ladung für kontrollierte Übergangszeiten und Schaltverluste zu bewältigen.
Wie sollten Konstrukteure die Verlustleistung im thermischen Design berücksichtigen?
Das Wärmemanagement muss die Ableitstromhöhe von 289 W berücksichtigen
sind geeignete Kühlkörper, thermische Schnittstellenmaterialien und Leiterplattenlayout erforderlich, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb sicherer Betriebsgrenzen zu halten.
Verwandte Links
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-U02