Infineon IMZC120 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 55 A 244 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U07
- RS Best.-Nr.:
- 351-928
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-U07 | |
| Serie | IMZC120 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 89mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 244W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Breite | 15.6mm | |
| Länge | 23.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-U07 | ||
Serie IMZC120 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 89mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 244W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Breite 15.6mm | ||
Länge 23.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie IMZC120 von Infineon, 244 W maximale Verlustleistung, 1200 V maximale Drain-Source-Spannung – IMZC120R034M2HXKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor für die Leistungsumwandlung und -steuerung in anspruchsvollen industriellen Umgebungen. Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus, das für hohe Drain-Source-Spannungen und erheblichen Dauerstrom ausgelegt ist, wodurch es sich für Rollen eignet, bei denen eine robuste Hochspannungsschaltung und thermische Beständigkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 1200 V Vds ermöglicht die Nutzung von Hochspannungssystemen
• 55 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt schwere Schaltvorgänge
• 89 mΩ Rds(on) senken die Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 244 W ermöglicht einen dauerhaften thermischen Durchsatz
• Die typische Gate-Ladung von 45 nC verbessert die Schaltgeschwindigkeitssteuerung
• 55 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt schwere Schaltvorgänge
• 89 mΩ Rds(on) senken die Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 244 W ermöglicht einen dauerhaften thermischen Durchsatz
• Die typische Gate-Ladung von 45 nC verbessert die Schaltgeschwindigkeitssteuerung
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Hochspannungswechselrichterstufen in industriellen Antrieben
• Ideal für Stromversorgungen, die ein Hochspannungsschalten erfordern
• Einsatz mit großen Motorsteuerungen, die hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für hart schaltende Topologien in Wandlern verwendet werden
• Ideal für Stromversorgungen, die ein Hochspannungsschalten erfordern
• Einsatz mit großen Motorsteuerungen, die hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für hart schaltende Topologien in Wandlern verwendet werden
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird für die Montage verwendet?
Er wird in einem PG-TO-247-4-U07-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage konfiguriert ist, um eine sichere Leiterplattenbefestigung und eine robuste thermische Verbindung mit Kühlkörpern zu ermöglichen.
Welchen Temperaturbereich verträgt er während des Betriebs?
Er arbeitet in einem breiten Bereich von -55 °C bis 200 °C und ermöglicht den Einsatz unter extremen thermischen Bedingungen und erhöhten Sperrschichttemperaturen.
Wie viele Stifte sind vorhanden, und was bedeutet das elektrisch?
Das Gerät verfügt über vier Pins, die Gate-, Drain- und Dual-Source- oder Tab-Anordnungen aufnehmen, die typisch für Leistungs-MOSFET-Gehäuse sind, um eine flexible Schaltungsintegration zu ermöglichen.
Welche Tests nach Industriestandard gelten für die Qualifizierung?
Er entspricht den JEDEC47/20/22-Normen, was die Einhaltung der festgelegten thermischen und mechanischen Zuverlässigkeitsprüfprotokolle anzeigt.
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