Infineon Doppelt OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 30 V Erweiterung / 2.3 A 0.6 W, 6-Pin TSOP

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RS Best.-Nr.:
214-4334
Herst. Teile-Nr.:
BSL308CH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET-Arrays

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

57mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

-5nC

Maximale Verlustleistung Pd

0.6W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

1mm

Breite

1.6 mm

Länge

2.9mm

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC-Q101

Dieser Infineon OptiMOS P3 + OptiMOS 2 MOSFET - ein n-Kanal- und ein p-Kanal-Leistungs-MOSFET im gleichen Gehäuse - ist eine hocheffiziente Lösung für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), das Netzteil (z. B. Server und Telekommunikation) und den Stromverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug). Es ist Avalanche-bewertet

Es ist zu 100 % bleifrei und RoHS-konform

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