Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal MOSFET 55 V Erweiterung / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
258-3876
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N06S2L35AATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TDSON

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der OptiMOS-Leistungs-Transistor von Infineon ist ein Dual Super S08, der mehrere DPAKs ersetzen kann, um erhebliche Einsparungen auf der Leiterplatte zu erreichen und die Kosten auf Systemebene zu senken. Größerer Quellkabelrahmenanschluss für die Kabelverbindung und die gleiche thermische und elektrische Leistung wie ein DPAK mit der gleichen Matrizengröße.

Zweifach-N-Kanal-Logikpegel – Enhancement-Modus

AEC Q101-qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

Betriebstemperatur: 175 °C

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