Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET-Arrays 60 V Erweiterung / 20 A 33 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 223-8523
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*
€ 14,085
(ohne MwSt.)
€ 16,905
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
- 4 995 Einheit(en) mit Versand ab 20. August 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | € 0,939 | € 14,09 |
| 75 - 135 | € 0,891 | € 13,37 |
| 150 - 360 | € 0,873 | € 13,10 |
| 375 - 735 | € 0,817 | € 12,26 |
| 750 + | € 0,76 | € 11,40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 223-8523
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET-Arrays | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 26mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Länge | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET-Arrays | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Länge 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Verwandte Links
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal MOSFET 55 V Erweiterung / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
