Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET-Arrays 60 V Erweiterung / 20 A 33 W, 8-Pin TDSON

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*

€ 14,085

(ohne MwSt.)

€ 16,905

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 24 825 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
15 - 60€ 0,939€ 14,09
75 - 135€ 0,891€ 13,37
150 - 360€ 0,873€ 13,10
375 - 735€ 0,817€ 12,26
750 +€ 0,76€ 11,40

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
223-8523
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N06S4L26AATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET-Arrays

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

33W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5.15mm

Höhe

1mm

Breite

5.9 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Zweifach-N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 60 V. Sie bietet Vorteile einer größeren Quellkabelrahmenverbindung für die Drahtbindung und eine Klebeverbindung von 200 μm für bis zu 20 A Strom.

Kfz AEC Q101 zugelassen

• MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow

• Betriebstemperatur: 175 °C.

• Grünes Gehäuse

• Sehr niedrige Rds

• 100 % Lawinenprüfung

Verwandte Links