Infineon Doppelt OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 100 V Erweiterung / 16 A 29 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9057
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG16N10S461AATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
€ 1.830,00
(ohne MwSt.)
€ 2.195,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 5 000 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | € 0,366 | € 1.830,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9057
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG16N10S461AATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 61mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Breite | 5.9 mm | |
| Länge | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 61mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Breite 5.9 mm | ||
Länge 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die neue OptiMOS-T2-Serie von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Reduzierung und elektrischen Antrieben. Die neue OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. Der Dual N-Kanal Normal Level - Enhancement Mode ist für automatische optische Inspektion (AOI) geeignet. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu erfüllen und zu übertreffen.
Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert
100 % Lawinenprüfung
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
Verwandte Links
- Infineon Doppelt OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal MOSFET 55 V Erweiterung / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2 8-Pin TDSON
