Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 5 A 2 W, 8-Pin DSO

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RS Best.-Nr.:
222-4625
Herst. Teile-Nr.:
BSO604NS2XUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

DSO

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.7nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Länge

4.9mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.47mm

Breite

3.94 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Logikpegel

Grünes Produkt mit Verbesserungsmodus (RoHS-konform)

AEC-Zulassung

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