Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 40 A 2.5 W, 8-Pin TISON-8

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RS Best.-Nr.:
214-8976
Herst. Teile-Nr.:
BSC0910NDIATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TISON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Durchlassspannung Vf

0.87V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1

Breite

6 mm

Höhe

1.1mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Die zweifach-N-Kanal OptiMOS MOSFETs werden halogenfrei gemäß IEC61249-2-21 und bleifreie Kabelbeschichtung geliefert; Erfüllt RoHS.

Monolithische integrierte Schottky-Diode

Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler

100%ig auf Stoßentladung geprüft

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