Infineon Isoliert OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 60 Stück)*

€ 17,82

(ohne MwSt.)

€ 21,36

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 17 700 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
60 +€ 0,297€ 17,82

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
110-7726
Distrelec-Artikelnummer:
304-36-974
Herst. Teile-Nr.:
BSL215CH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TSOP

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1mm

Breite

1.6 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™-Zweifach-Leistungs-MOSFET


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links