Infineon Isoliert OptiMOS™ Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP-6

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110-7129
Distrelec-Artikelnummer:
304-36-975
Herst. Teile-Nr.:
BSL316CH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS™

Gehäusegröße

TSOP-6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Durchlassspannung Vf

860mV

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.9mm

Höhe

1mm

Breite

1.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOSTM Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSL316CH6327XTSA1


Dieser MOSFET bietet kompakte, oberflächenmontierte Schaltvorgänge für Niederspannungsanwendungen im Automobil- und Industriebereich. Es handelt sich um einen isolierten Zweikanal-Transistor, der für den Betrieb im Enhancement-Modus entwickelt wurde und sowohl N- als auch P-Kanal-Elemente in einem 6-poligen TSOP-Gehäuse bietet. Das Gerät unterstützt das typische Gate-Ladungsverhalten, das für schnelles Schalten geeignet ist, und arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für raue Umgebungen erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:


• Die Ablassspannung von 30 V ermöglicht das Schalten von Niederspannungsanlagen
• 280 mΩ Drain-Source-Widerstand reduziert Leitungsverluste
• 2.4 nC typische Gate-Ladung für effiziente Gate-Ansteuerung
• 1,5 A kontinuierlicher Ablassstrom für mäßige Stromlasten
• 500 mW Verlustleistung verhindern Überhitzung in kompakten Layouts
• Die AEC-Q101-Qualifizierung gewährleistet die Eignung für den Einsatz im Automobilbereich

Anwendungsbereich


• Geeignet für das Schalten von Gleichstromlasten in der Fahrzeugelektronik
• Wird für komplementäre Push-Pull-Treiberstufen verwendet
• Ideal für das SMD-Leistungsmanagement auf Steuerplatinen
• Kann für Batterieschutz und Lasttrennungen verwendet werden
• Geeignet für temperaturempfindliche Automobilmodule

Welche Anzahl von Stiften und welchem Gehäusetyp werden verwendet?


Die Komponente wird in einem 6-poligen TSOP‐6-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für kompakte Baugruppen optimiert ist.

Wie verhält es sich bei verschiedenen Temperaturen?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und behält seine Funktionalität unter extremen Umgebungsbedingungen bei.

Ist das Gerät ein- oder mehrelementär?


Die Matrize enthält zwei isolierte Elemente, die sowohl N- als auch P-Kanal-Konfigurationen auf einem einzigen Chip ermöglichen.

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?


Die Gate-to-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Schäden an der Gate-Isolierung zu verhindern.

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