Infineon Isoliert OptiMOS™ Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP-6

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RS Best.-Nr.:
110-7129
Distrelec-Artikelnummer:
304-36-975
Herst. Teile-Nr.:
BSL316CH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TSOP-6

Serie

OptiMOS™

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.4nC

Durchlassspannung Vf

0.86V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.6 mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOSTM-MOSFET mit zweifacher Leistung


MOSFET-Transistoren, Infineon


Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, das die Familien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET umfasst. Sie bieten die beste Leistung in ihrer Klasse für mehr Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz. Designs, die eine hohe Qualität und verbesserte Schutzfunktionen erfordern, profitieren von AEC-Q101-Kfz-qualifizierten MOSFETs nach Industriestandard.

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