Infineon Isoliert OptiMOS P Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2 A 500 mW, 6-Pin TSOP

RS Best.-Nr.:: 892-2172
Distrelec-Artikelnummer:: 304-44-410
Herst. Teile-Nr.:: BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon Isoliert OptiMOS P Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2 A 500 mW, 6-Pin TSOP

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Herst. Teile-Nr.:: BSL308PEH6327XTSA1
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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	OptiMOS P
	Gehäusegröße	TSOP
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	130mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	-5nC
	Maximale Verlustleistung Pd	500mW
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	-0.8V
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1mm
	Länge	2.9mm
	Breite	1.6mm
	Normen/Zulassungen	No
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie OptiMOS P
	Gehäusegröße TSOP
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -5nC
	Maximale Verlustleistung Pd 500mW
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf -0.8V
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1mm
	Länge 2.9mm
	Breite 1.6mm
	Normen/Zulassungen No
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard AEC-Q101

P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P

Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.

Enhancement-Modus

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform

Standardgehäuse

P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Infineon Isoliert OptiMOS P Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2 A 500 mW, 6-Pin TSOP

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P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P

MOSFET-Transistoren, Infineon

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