Infineon Isoliert OptiMOS N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 500 mW, 6-Pin SC-88

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RS Best.-Nr.:
827-0002
Herst. Teile-Nr.:
2N7002DWH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Durchlassspannung Vf

960mV

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

2mm

Höhe

800μm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.25mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V Drain-Source-Spannung, 4 Ω Drain-Source-Widerstand – 2N7002DWH6327XTSA1


Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für das Schalten mit geringem Stromverbrauch in beengten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet im Enhancement-Modus und kombiniert zwei Elemente auf einem einzigen Chip, um eine kompakte Dual-Die-Schaltung zu liefern, die für Kfz- und Industrieumgebungen geeignet ist. Das Gerät ist für Anwendungen auf Board-Ebene vorgesehen, die eine geringe Strombelastbarkeit und einen kontrollierten Einschaltwiderstand erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• Der Ablasswert von 60 V ermöglicht Schaltanwendungen mit höherer Spannung
• Maximale Rds von 4 Ω reduziert Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand
• 300 mA kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt niedrige Stromlasten
• Eine typische Gate-Ladung von 0,4 nC ermöglicht ein schnelles und effizientes Schalten
• Verlustleistung von 500 mW für thermisch begrenzte Designs mit geringer Leistungsaufnahme
• Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C gewährleistet thermische Beständigkeit

Anwendungsbereiche


• Geeignet für Mikrocontroller-gesteuerte Lastschaltung
• Ideal für die Schnittstelle von Sensoren in Automobilsystemen
• Wird mit Batteriemanagement-Ausgleichsschaltkreisen verwendet
• Kann für den Austausch kleiner Relais verwendet werden
• Geeignet für kompakte SMD-Strompfad-Steuerung

Welche Gehäuse- und Pinanzahl sollte ich für das Leiterplatten-Layout vorbereiten?


Das Gerät wird in einem kleinen SC-88-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit sechs Stiften geliefert, sodass Pads und Wärmeentlastung der Grundfläche des SC-88 entsprechen sollten.

Wie wirkt sich der Dual-Element-Chip auf den Parallelbetrieb aus?


Zwei Elemente auf derselben Matrize ermöglichen kompakte Zweikanalanordnungen ohne externe Anpassung, aber die Gesamttemperaturgrenzen bleiben pro Gehäuse erhalten.

Welche Gate- und Ablassspannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?


Die Gate-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, während die Drain-Source-Spannungsgrenze 60 V beträgt, um Gerätebelastungen zu vermeiden.

Welche Durchlassspannung kann bei der Leitung erwartet werden?


Eine Durchlassspannungsmessung von ca. 0,96 V gilt unter spezifizierten Prüfbedingungen für relevante Leitungswege.

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