Infineon Isoliert OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP

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RS Best.-Nr.:
166-1086
Herst. Teile-Nr.:
BSL215CH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TSOP

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3nC

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

1.6 mm

Länge

2.9mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY

Infineon OptiMOS™-Zweifach-Leistungs-MOSFET


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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