STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, SMD MOSFET-Module 1200 V Entleerung / 33 A, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 202-5482
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH40N120G2V7AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Derzeit nicht erhältlich
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- 202-5482
- Herst. Teile-Nr.:
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET-Module | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.105Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET-Module | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.105Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics in Kfz-Qualität wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen bemerkenswert niedrigen Einschaltwiderstand pro Einheitsfläche und eine sehr gute Schaltleistung.
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
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