STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 30 A 224 W, 7-Pin H2PAK-7

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-961
Herst. Teile-Nr.:
SCT070H120G3-7
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Gehäusegröße

H2PAK-7

Serie

SCT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

3V

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Maximale Verlustleistung Pd

224W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.25mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

10.4mm

Ursprungsland:
CN
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

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