STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 30 A 224 W, 7-Pin H2PAK-7

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-961
Herst. Teile-Nr.:
SCT070H120G3-7
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Serie

SCT

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

224W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Durchlassspannung Vf

3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.4mm

Länge

15.25mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Ursprungsland:
CN
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

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