STMicroelectronics Sct N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 385 W, 7-Pin H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:
719-465
Herst. Teile-Nr.:
SCT018H65G3-7
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Serie

Sct

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

385W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

2.6V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.25mm

Breite

10.4 mm

Höhe

4.8mm

Ursprungsland:
CN

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