STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 398 W, 3-Pin SCT018W65G3AG

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RS Best.-Nr.:
719-468
Herst. Teile-Nr.:
SCT018W65G3AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

HIP-247-3

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

2.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

76nC

Maximale Verlustleistung Pd

398W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Länge

15.75mm

Höhe

20.15mm

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität