STMicroelectronics Sct N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 56 A 388 W, 4-Pin Hip-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 719-470
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT025W120G3-4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Derzeit nicht erhältlich
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- Herst. Teile-Nr.:
- SCT025W120G3-4
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 56A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | Sct | |
| Gehäusegröße | Hip-247-4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Durchlassspannung Vf | 2.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 388W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 25.27mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Breite | 5.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 56A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie Sct | ||
Gehäusegröße Hip-247-4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Durchlassspannung Vf 2.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 388W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 25.27mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Breite 5.1mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Sehr hohe Betriebstemperatur (TJ = 200 °C)
Sensor-Stift für erhöhte Effizienz
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