STMicroelectronics Sct N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1200 V / 56 A 388 W, 4-Pin Hip-247-4

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RS Best.-Nr.:
719-470
Herst. Teile-Nr.:
SCT025W120G3-4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

56A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

Sct

Gehäusegröße

Hip-247-4

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

2.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Maximale Verlustleistung Pd

388W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.9mm

Höhe

25.27mm

Ursprungsland:
CN
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Sehr hohe Betriebstemperatur (TJ = 200 °C)

Sensor-Stift für erhöhte Effizienz

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