STMicroelectronics SCTW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 388 W, 4-Pin Hip-247

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

€ 764,88

(ohne MwSt.)

€ 917,85

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 08. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +€ 25,496€ 764,88

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
230-0093
Herst. Teile-Nr.:
SCTWA60N120G2-4
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCTW

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Durchlassspannung Vf

3V

Maximale Verlustleistung Pd

388W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

21.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics SCTWA60N ist ein Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät, das mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt wurde. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz

Verwandte Links