STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-0475
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA70N120G2V-4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 91A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCTWA70N120G2V-4 | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 2.7V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 547W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Höhe | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 15.6mm | |
| Länge | 34.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 91A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCTWA70N120G2V-4 | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 2.7V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 547W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Höhe 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 15.6mm | ||
Länge 34.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz
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