STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-0474
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA70N120G2V-4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- 233-0474
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA70N120G2V-4
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 91A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA70N120G2V-4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 547W | |
| Durchlassspannung Vf | 2.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5mm | |
| Länge | 34.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 91A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCTWA70N120G2V-4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 547W | ||
Durchlassspannung Vf 2.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5mm | ||
Länge 34.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz