STMicroelectronics N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 45 A 270 W, 3-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
168-8966
Herst. Teile-Nr.:
SCT30N120
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

105nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

270W

Durchlassspannung Vf

3.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

-10V, +25V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Breite

5.15mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

20.15mm

Länge

15.75mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET aus Siliziumkarbid (SiC), STMicroelectronics


MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC) besitzen einen sehr niedrigen Widerstand zwischen Drain und Quelle im eingeschalteten Zustand für die 1200-V-Ausführung in Kombination mit ausgezeichneter Schaltleistung, was zu effizienteren und kompakteren Systemen führt.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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