STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-0472
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA35N65G2V-4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
€ 370,83
(ohne MwSt.)
€ 444,99
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Nur noch Restbestände
- Letzte 210 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | € 12,361 | € 370,83 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-0472
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA35N65G2V-4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SCTWA35N65G2V-4 | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 67mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 21.1mm | |
| Länge | 20.1mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SCTWA35N65G2V-4 | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 67mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 21.1mm | ||
Länge 20.1mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Geringe Kapazitäten
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 N-Kanal 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 N-Kanal 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 N-Kanal 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 N-Kanal 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW90 N-Kanal 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW35 N-Kanal 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG N-Kanal 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT1000N170 N-Kanal 3-Pin Hip-247