STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 4-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
233-0473
Herst. Teile-Nr.:
SCTWA35N65G2V-4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCTWA35N65G2V-4

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

67mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Durchlassspannung Vf

3.3V

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

20.1mm

Höhe

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Geringe Kapazitäten

Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz

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