STMicroelectronics SCTW35 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 13,60

(ohne MwSt.)

€ 16,32

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 847 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 4€ 13,60
5 - 9€ 13,22
10 - 24€ 12,88
25 - 49€ 12,55
50 +€ 12,24

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
201-0860
Herst. Teile-Nr.:
SCTW35N65G2V
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCTW35

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Höhe

15.75mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.15 mm

Länge

14.8mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 45 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 45 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

Verwandte Links