STMicroelectronics SCTW35 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 201-0859
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW35N65G2V
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCTW35 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Länge | 14.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCTW35 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.75mm | ||
Länge 14.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 45 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 45 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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