STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5488
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW35N65G2VAG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.055Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 34.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.055Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 34.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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