STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 45 A, 3-Pin HiP247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
202-5494
Herst. Teile-Nr.:
SCTWA30N120
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

45 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Serie

SCT

Gehäusegröße

HiP247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

0,09 Ω

Channel-Modus

Depletion

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität

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