STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 12 A 150 W, 3-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
202-5475
Herst. Teile-Nr.:
SCT10N120
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.58Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Durchlassspannung Vf

4.3V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Höhe

34.95mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.15 mm

Länge

15.75mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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