STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1.2 kV Entleerung / 33 A 290 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5489
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW40N120G2VAG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- Herst. Teile-Nr.:
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.105Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 290W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 3.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Höhe | 34.95mm | |
| Breite | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.105Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 290W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 3.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Höhe 34.95mm | ||
Breite 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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