STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V Entleerung / 16 A 153 W, 3-Pin Hip-247

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

€ 387,94

(ohne MwSt.)

€ 465,53

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stange(n)
Pro Stange
Pro Stück*
1 +€ 387,94€ 12,931

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
202-4778
Herst. Teile-Nr.:
SCT20N120AG
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.52Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

153W

Durchlassspannung Vf

3.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Breite

4.7 mm

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

15.8mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbid in Kfz-Qualität hat eine sehr enge Variation des Einschaltwiderstands im Vergleich zu zurückgekehrt ist. Er verfügt über eine sehr hohe Betriebstemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

Verwandte Links