STMicroelectronics SCT10N120H N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 12 A, 3-Pin Hip247

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist. Die hervorragenden thermischen Eigenschaften des SiC-Materials in Kombination mit dem Gehäuse des Geräts im proprietären HiP247-Gehäuse ermöglichen es Entwicklern, einen Industriestandard-Umriss mit deutlich verbesserter Wärmekapazität zu verwenden. Diese Eigenschaften machen das Gerät perfekt geeignet für Anwendungen mit hoher Effizienz und hoher Leistungsdichte.

Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs Temperatur
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität