STMicroelectronics SCT N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 1200 V / 33 A, 7-Pin H2PAK-7

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
202-5484
Herst. Teile-Nr.:
SCTH40N120G2V7AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

33 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Serie

SCT

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

0,105 Ω

Channel-Modus

Depletion

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität

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