STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1.2 kV Erweiterung / 30 A, 7-Pin H2PAK-7

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RS Best.-Nr.:
482-977
Herst. Teile-Nr.:
SCT070H120G3AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Gehäusegröße

H2PAK-7

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

7

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.25mm

Höhe

10.4mm

Breite

24.3mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
IT
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Sensor-Stift für erhöhte Effizienz

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