STMicroelectronics SCTW90 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 119 A 565 W, 3-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
201-0887
Herst. Teile-Nr.:
SCTW90N65G2V
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

119A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCTW90

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

565W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

2.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

157nC

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Länge

15.75mm

Höhe

20.15mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 119 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 18 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 175 °C)

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten

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