STMicroelectronics SCTW70N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-3024
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW70N120G2V
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 91A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCTW70N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 547W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2.7V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 91A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCTW70N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 547W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2.7V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 20.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist. Die hervorragenden thermischen Eigenschaften des Sic-Materials ermöglichen es Entwicklern, eine nach Industriestandard umrissende Bauweise mit deutlich verbesserter Wärmekapazität zu verwenden. Diese Eigenschaften machen das Gerät perfekt geeignet für Anwendungen mit hoher Effizienz und hoher Leistungsdichte.
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten
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