STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 300 W, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 214-955
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT027H65G3AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 12,25
(ohne MwSt.)
€ 14,70
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- 1 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 12,25 |
| 10 - 99 | € 11,33 |
| 100 - 999 | € 11,20 |
| 1000 + | € 11,06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-955
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT027H65G3AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 2.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.25mm | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Breite | 10.4mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 2.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.25mm | ||
Höhe 4.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Breite 10.4mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics Sct N-Kanal 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT N-Kanal 7-Pin H2PAK