STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 300 W, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 214-955
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT027H65G3AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 2.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Länge | 15.25mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 2.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Höhe 4.8mm | ||
Länge 15.25mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
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