STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Entleerung / 95 A 360 W, 7-Pin H2PAK

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RS Best.-Nr.:
202-5480
Herst. Teile-Nr.:
SCTH100N65G2-7AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

95A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCT

Gehäusegröße

H2PAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.02Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

162nC

Durchlassspannung Vf

2.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Verlustleistung Pd

360W

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

15.25mm

Breite

4.8mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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