STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Entleerung / 95 A 360 W, 7-Pin H2PAK

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

€ 25.507,00

(ohne MwSt.)

€ 30.608,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 02. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +€ 25,507€ 25.507,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
202-5480
Herst. Teile-Nr.:
SCTH100N65G2-7AG
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

95A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCT

Gehäusegröße

H2PAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.02Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

162nC

Durchlassspannung Vf

2.8V

Maximale Verlustleistung Pd

360W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

15.25mm

Breite

4.8 mm

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

Verwandte Links