STMicroelectronics SCT025H120G3AG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 55 A 375 W, 7-Pin H2PAK-7

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 16,62

(ohne MwSt.)

€ 19,94

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 518 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 9€ 16,62
10 - 99€ 16,42
100 +€ 16,21

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-952
Herst. Teile-Nr.:
SCT025H120G3AG
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Serie

SCT025H120G3AG

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Durchlassspannung Vf

2.7V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

15.25mm

Breite

10.4mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Höhe

4.8mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

Verwandte Links